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诺思两款FBAR工艺LTE频段双工器正式发布
- 分类：行业资讯
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- 发布时间：2018-11-15 06:47
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【概要描述】 11月3日至4日，以“融合、创新、自主、先进”为主题的2018中国网信军民融合发展滨海论坛暨自主可控网信科技成果展在滨海新区召开，面向全国展现滨海新区在网信军民融合领域的综合产业实力与产业链优势，又一次将人们关注的焦点引向渤海之滨——这片网信军民融合产业发展的沃土之上。 发展网信军民融合产业 院士“组团”来“支招” 本次论坛的亮点之一就是将网信军民融合产业不同领域的院士“请进门”，为新区
诺思两款FBAR工艺LTE频段双工器正式发布
【概要描述】
11月3日至4日，以“融合、创新、自主、先进”为主题的2018中国网信军民融合发展滨海论坛暨自主可控网信科技成果展在滨海新区召开，面向全国展现滨海新区在网信军民融合领域的综合产业实力与产业链优势，又一次将人们关注的焦点引向渤海之滨——这片网信军民融合产业发展的沃土之上。
发展网信军民融合产业
院士“组团”来“支招”
本次论坛的亮点之一就是将网信军民融合产业不同领域的院士“请进门”，为新区
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- 发布时间：2018-11-15 06:47
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国内全力薄膜体声波（FBAR）芯片制造商诺思（天津）微系统有限责任公司（以下简称诺思），近日在第二届重庆*手机博览会上发布了基于FBAR工艺的两款中高频LTE频段双工器，RSFD1702C及RSFD2502C。
诺思副总裁蒋浩在展会上说，自2014年开始大批量交付以来，诺思已经向全球100余家客户供应了射频滤波芯片近1亿颗，广泛应用于各类3G/4G无线智能终端、导航终端及设备、基站、卫星通讯、物联网终端等领域。
蒋浩谈到，公司研发团队在FBAR领域17年持续、不间断努力，不断提升产品设计能力和制造工艺能力。截止到今天，公司仍然是国内全力掌握自主知识产权，全力实现大批量交付，且各项性能指标全部达到甚至部分超过*同行业水平的公司。2019年诺思工厂交付能力将达到20亿颗/年。
本次在展会上诺思发布的双工器，预计将在2018年12月大批量交付市场。同时蒋浩还透露，今年年底前诺思还将发布一款高功率全频段滤波器产品和针对5G新频段的滤波器样品。
RSFD1702C采用新的技术和工艺，保证滤波器具有优良的上行/下行通带插损性能。上行通带整体插损性能优于-2.4dB, 通带****插损-1.1dB，同时具有较高的功率容量。下行通带****插损约-1.5dB, 同时具有较高的功率容量，可应对基站应用的需求。同时，该款产品具有较高的上行/下行之间的隔离度性能，达到-55dB以下。该产品还采用了先进的芯片倒装封装工艺，产品尺寸1.8mm x 1.4mm x 0.65mm，以适用于客户对系统空间不断提高的要求。
RSFD2502C具备了FBAR滤波器高滚降，高功率，1000V以上的防静电击穿能力（ESD）的特点，与此同时以更小尺寸为客户节省更多的集成空间。性能方面RSFD2502C的发射端（Tx Port）提供了右侧的高抑制度，全温通带内（-20℃~+85℃）低插入损耗，主要体现在工作状态下高耐受功率的特性。接收端（Rx Port）提供了全温通带内（-20℃~+85℃）的低插入损耗和发射端（Tx Port）的高隔离度，为应用环境提供了良好的灵敏度。
来源：半导体行业观察
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