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6月20日消息,中芯*和灿芯半导体宣布,采用中芯*40纳米低漏电工艺的ARMCortex-A9MPCore双核芯片测试结果达到1.3GHz。
该测试芯片基于ARMCortex-A9双核处理器设计,采用中芯*的40纳米低漏电工艺。处理器包括一个32KBI-cache和32KBD-cache以及其他所需之存储器模块、ARMNEON、调试和追踪的ARMCoreSight等等,另外还透过AMBAAXI总线集成了内建SRAM与DMA、NORflash、SDRAM、VGA等介面。除了高速标准单元库以外,该测试芯片还采用了中芯*高速定制存储器和单元库以提高性能。
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