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台湾联电称明年发展28纳米技术疑追赶台积电

台湾联电称明年发展28纳米技术疑追赶台积电

  • 分类:行业资讯
  • 作者:
  • 来源:腾讯科技
  • 发布时间:2009-12-21 17:34
  • 访问量:

【概要描述】

台湾联电称明年发展28纳米技术疑追赶台积电

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   台湾芯片代工厂商联电昨日在美国巴尔的摩所举办的2009*电子组件会议上表示,将于2010年下半年推出28纳米制程,采用高K金属栅极技术的半导体产品。腾讯科技讯12月11日讯,台湾芯片代工厂商联电昨日在美国巴尔的摩所举办的2009*电子组件会议上表示,将于2010年下半年推出28纳米制程,采用高K金属栅极技术的半导体产品。业内人士指出,联电此举是为了追赶自己的竞争对手台积电。
    
   据悉,早前台积电曾宣布将在明年前三个季度分别开始试产28纳米高性能高K金属栅极、28纳米低功耗高K金属栅极和28纳米低功耗氮氧化硅三种新工艺产品。
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