台湾联电称明年发展28纳米技术疑追赶台积电

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来源：腾讯科技
发布时间：2009-12-21 17:34
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　　台湾芯片代工厂商联电昨日在美国巴尔的摩所举办的2009*电子组件会议上表示，将于2010年下半年推出28纳米制程，采用高K金属栅极技术的半导体产品。腾讯科技讯12月11日讯，台湾芯片代工厂商联电昨日在美国巴尔的摩所举办的2009*电子组件会议上表示，将于2010年下半年推出28纳米制程，采用高K金属栅极技术的半导体产品。业内人士指出，联电此举是为了追赶自己的竞争对手台积电。

　　据悉，早前台积电曾宣布将在明年前三个季度分别开始试产28纳米高性能高K金属栅极、28纳米低功耗高K金属栅极和28纳米低功耗氮氧化硅三种新工艺产品。

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