11月13日，存储器与数据存储技术高峰论坛作为武汉光博会的重要组成部分，在洲际酒店开幕，该论坛由IC咖啡同中国光谷集成电路产业创新联盟联合承办。
武汉新芯执行长杨士宁博士在会上发表了以“存储器产业及其发展趋势”为主题的演讲，介绍了存储器产业的发展态势和武汉新芯据此做出的战略思考。
突破芯片制造，存储器是“必经之战”
芯片在智能终端的应用较为广泛。杨士宁博士以手机和服务器的价格结构为切入点，说明了存储器在整个半导体市场中的地位。他介绍，智能终端的价格构成中，存储器居于第二位，占比20%上下，仅次于CPU。“在半导体芯片市场中，存储器独占四分之一，增长速度与其他类别相比也较快。且今后五到十年，存储芯片应用不断扩大，预计2020年的市场占有率会提高到三分之一。”
据此，杨士宁博士判定，中国要想在集成电路产业快速突破并提高芯片的自产率，发展存储器是“必经之战”。他根据自己早年在Intel的经验，将存储器与CPU进行了比较：“在技术上，我们并非无法发展CPU。但其生态系统复杂，其产量增加需要时间。而在存储器领域，虽然技术突破也很困难，但若能攻克难关、保证产品质量，产量就可以快速上升。”
随后，杨士宁博士具体介绍了当前存储器中的两个重要领域：DRAM和NAND，这两块占存储器产值的90%以上，绝大部分应用于个人电脑、服务器和智能手机。他指出，DRAM经历了近几年的产值增长，目前技术推进和市场增长力度趋缓；NAND则正好相反，且技术发展正由二维突破至三维。“二维NAND就像是停车场，车越多越难停；3D NAND即是建设一个立体的停车场。”杨士宁博士比喻道，“从长远来看，3D NAND成品率提升后，性能和成本都会更优。”
无论是DRAM还是NAND，存储器市场都被少数几家*巨头垄断。“现在全球*梯队只有三四家，这是存储器市场的总体现状。”
自主研发与*合作相结合，扎根前沿技术
面对如此局势，武汉新芯在规划技术发展之前进行了缜密的思考。“存储器对*信息~的重要性无需多言，”杨士宁博士言简意赅地表示，“我们考虑的，不是要不要，而是能不能成功。”
杨士宁博士给出了肯定答案。他总结，中国可能成功的原因有三。*是强劲的内需市场。存储器超55%的市场位于中国，杨士宁博士认为，若能把关质量，本土企业就会具有竞争优势；第二是政府和基金有支持企业渡过积累期的决心；第三是通过好的项目，人才有可能在中国很快聚集。武汉新芯基于这样的认识，在存储器领域进行了长远布局。
要实现发展蓝图，杨士宁博士将条件归结为三点：找对人、砸对钱、做对事。他解释，这是一个非常艰巨的任务，首先需要一些肯实干、有胸怀，较好是有成功记录的人来组成团队。其次，以前投资的做法一般是选择已经落后的技术，他认为这过于保守，无法有效拉动经济效益。“我们在技术上，要有自己的实力，但不一定要从零做起，可以寻求*合作。”杨士宁博士建言，但他同时也指出，若没有自己的技术实力作为支持，在谈判桌上就没有话语权。“我们的做法是以战议和，要有战的决心。”武汉新芯直接选择3D NAND FLASH技术，也正是基于这一考虑。杨士宁博士对未来满怀信心，他认为，武汉新芯有多年的闪存经验、虽小但*化的团队和牢固的知识产权体系为基础，虽然在技术上还面临诸多挑战，但未来必定大有可为。
在自身发展之外，杨士宁博士还表达了和产业链上下游其他本土企业协同发展的愿望。他表示，武芯愿与国产设备、材料、设计和封测等企业一道完成发展存储器产业这一艰巨任务，联合各方资源、配合*战略，力争实现中国大存储器产业零的突破。
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