关于举办“纳米级CMOS超低功耗模拟和射频IC设计级别高培训班”的通知

发布时间：

2015-11-10 17:34

来源：

　　

关于举办“纳米级CMOS超低功耗模拟和射频IC设计级别高培训班”的通知

各有关单位:

为贯彻落实《*集成电路产业发展推进纲要》，培养一批掌握核心关键技术，处于世界前沿水平的中青年专家和技术骨干，以高层次人才队伍建设推动共性、关键性、基础性核心领域的整体突破，促进我国软件和集成电路产业持续快速发展,工业和信息化部人才交流中心和中国科学技术大学定于2015年12月4-6日在合肥举办“纳米级CMOS超低功耗模拟和射频IC设计级别高培训班”，邀请瑞士洛桑联邦理工学院集成电路实验室主任、IEEE固态电路学会（SSCS）委员会主席Christian Enz教授，IEEE院士、美国博通公司技术总监、中国科学技术大学客座教授Xicheng Jiang博士以及波尔多理工学院教授、意法半导体-IMS联合实验室顾问Thierry Taris联合授课。

物联网的兴起对功耗提出了严格要求，成为低功耗模拟和射频IC设计的主要驱动因素，在高度受限的功耗和面积下，需要实现日益复杂的功能，使得IC设计更具挑战性。本次课程聚焦于CMOS模拟、射频和混合信号的低功耗IC设计，内容包括模拟混合信号范式转换、射频IC构建模块设计、低功耗低压MOS管建模、低功耗设计方法学、效率高音频混合信号设计、模拟混合信号设计反思等。课程将结合较新实例讲解，例如28nm 4G/LTE SoC、LNA、VCO、ADC、混频器、EKV/BSIM6模型、高保真音频编解码器等。

现将有关事宜通知如下：

一、主办单位

工业和信息化部人才交流中心

中国科学技术大学（微电子学院）

二、协办单位

合肥市集成电路产业技术创新战略联盟

三、参加对象

本次课程面向相关集成电路企业、科研院所和高等院校从事相关领域的工程师和研究人员。课程采用全英文授课，不配备翻译，要求学员具备相应英语水平。

四、培训安排

培训时间：2015年12月4-6日（3天）

培训时间：12月3日报到

培训地点：中国科学技术大学

培训时间：安徽省合肥市蜀山区金寨路96号

日程安排：12月3日15:00-17:00报到

培训时间：12月4日8:30举行开班仪式

培训时间：12月6日17:00举行结业仪式

培训时间：其余为上课时间：上午09:00-12:00

培训时间训时好好好好好间：下午14:00-17:30

结业仪式将颁发工业和信息化部人才交流中心认证的证书，参加培训者可推荐参加*“软件和集成电路人才培养计划”评选。

五、培训费用

本次课程培训费2800元/人（含授课费、教室租赁费、资料费、证书费、培训期间午餐），学员交通、食宿等费用自理。请于2015年11月28日前将课程培训费汇至：

户 名：工业和信息化部人才交流中心

开户行：工商银行北京公主坟支行

帐 号：0200004609004626666

六、报名方式

请各单位收到通知后，积极选派人员参加。报名截止日期为2015年11月28日，请在此日期前将报名回执表传真或发送Email至工业和信息化部人才交流中心。

邮件题目格式为：报名纳米级CMOS超低功耗模拟和射频IC设计级别高培训班+单位+人数

工业和信息化部人才交流中心：

联系人：曲来军、王浩、王喆

电 话：010-68207879、68207883、68208717

传 真：010-68207863

E-mail：icplatform@miitec.cn

中国科学技术大学：

联系人：司虎

电 话：0551-63602645

合肥市集成电路产业技术创新战略联盟：

联系人：吴云飞

电 话：0551-65321234－8009

附件：1.课程大纲

时间：2.授课专家简介

工业和信息化部人才交流中心

2015年10月12日

附件1：

课程大纲

 
*天上午
 
“Paradigm shift of analog and mixed signal IC design in nanoscale CMOS”
纳米级CMOS模拟和混合信号IC设计的范式转换
Lecturer: Xicheng JIANG 讲师：江习承
1) Evolution of Mixed-Signal Analog for System-on-Chip Products
SoC产品的模拟混合信号发展进程
 
2) A 28 nm Analog and Audio Mixed-Signal Front End for 4G/LTE Cellular System-on-Chip
用于4G/LTE蜂窝SoC的28nm模拟和音频混合信号前端
 
3) Inverter based analog mixed-signal IC design
基于反相器的模拟混合信号IC设计
 
*天下午
 
“Design Guide for Low Power RF Building Blocks”
低功耗RF构件模块的设计指导
Lecturer: Thierry TARIS 讲师：蒂埃里塔里斯
1) Brief on the Analog/RF design metric and modeling
模拟/射频设计度量和建模简介
Normalized transistor model for RF design
RF设计的规范化晶体管模型
Basic Figure of Merit
品质因数基础
 
2) RF Building Blocks Design with the Inversion Coefficient
反型系数的RF构建模块设计
Low Noise Amplifier
低噪声放大器
Voltage Controlled Oscillator
压控振荡器
 
3) Combined RF building blocks in Moderate Inversion Region
中等反型区的混合RF构件模块
Cascaded Low Noise Converter
级联式低噪声转换器
Stacked Oscillator-Mixer
堆叠振荡-混频器
Stacked LNA-VCO
堆叠LNA-VCO
LNA-VCO-Mixer
LNA-VCO-混频器
 
第二天上午
 
“MOS Transistor Modeling for Low-voltage and Low-power Circuit Design”
低压和低功耗电路设计的MOS晶体管建模
Lecturer: Christian ENZ 讲师：克里斯蒂安·恩茨
1) Introduction (CMOS technology scaling) 简介（CMOS技术扩展）
 
2) MOSFET compact modeling MOSFET紧凑型模型
 
3) The EKV/BSIM6 charge-based model EKV/BSIM6电荷控制模型
The long-channel static model
长沟道静态模型
The long-channel small-signal model
长沟道小信号模型
The long-channel noise model
长沟道噪声模型
 
4) The extended model (short- and narrow-channel effects)
扩展模型（短沟道效应和窄沟道效应）
 
5) Matching 匹配
 
6) Summary 总结
 
第二天下午
 
“Ultra-low Power and Low-voltage Analog and RF Circuit Design”
超低功耗和低压模拟和RF电路设计
Lecturer: Christian ENZ 讲师：克里斯蒂安·恩茨
1) Introduction 简介
 
2) Limits to low-power and low-voltage
低功耗和低压限制
 
3) Low-power design methodology based on the inversion coefficient
基于反型系数的低功耗设计方法
The concept of inversion coefficient
反型系数概念
Specific current extractor and ratio-based design technique
比例电流提取器和基于比率的设计技术
A simple example of IC-based design methodology
基于IC的设计方法学的一个简单示例
Basic trade-offs in analog and RF design
模拟和射频设计中的基本权衡
Figures-of-merit (FoMs) as design guidelines
设计指导——品质系数（FoMs）
 
4) Basic building blocks operating at ultra-low voltage
工作于超低压下的构建模块基础
Analog 模拟
RF 射频
 
5) Conclusion总结
 
第三天上午
 
“Low power, high efficient Audio mixed-signal circuit design”
低功耗、效率高率的音频混合信号电路设计
Lecturer: Xicheng JIANG 讲师：江习承
1) Low-power, high-fidelity and full-feature audio CODEC in 0.13um CMOS
0.13um CMOS的低功耗、高保真和全功能音频编解码器（CODEC）
 
2) High-efficiency Class-D amplifier
效率高D类放大器
 
3) Circuit Techniques to Overcome Class–D Audio Amplifier Limitations in Mobile Devices
突破移动设备中D类音频放大器限制的电路技术
 
第三天下午
 
“Rethink power efficient analog mixed-signal design”
功率效率高的模拟混合信号设计的反思
Lecturer: Xicheng JIANG 讲师：江习承
1) Power-efficient, high-speed Analog-to-Digital converters with averaging and interpolation
运用平均和内插的功率效率高、高速模数转换器
 
2) Digitally-Assisted Analog and Analog-Assisted Digital Design Techniques for a 28 nm Mobile System-on-Chip
28nm移动SoC的数字辅助模拟和模拟辅助数字设计技术
 
3) Rethink power efficient and high-precision analog mixed-signal design
功率效率高和高精度模拟混合信号设计的反思
 
附件2：

授课专家简介

 

 
Christian·Enz

克里斯蒂安恩茨

 

洛桑联邦理工学院微工程研究所 所长

 

洛桑联邦理工学院集成电路实验室主任

 

IEEE固态电路学会、AdCom委员会主席
 
 
Christian Enz在1984年和1989年从洛桑联邦理工学院获得电子工程的硕士学位和博士学位。他是智能硅系统S.A.（S3）的创始人之一，并开发了多种低噪音和低功耗IC，主要用于高能物理应用。从1992年到1997年，他是洛桑联邦理工学院的助理教授，工作领域为低功耗模拟CMOS和BiCMOS IC设计和器件建模。从1997年到1999年，他曾在加州纽波特比奇的Conexant（前身为罗克韦尔半导体系统）担任优选级别高工程师，在那里他负责RF CMOS电路设计中的MOS晶体管建模和表征。1999年，他加入了瑞士电子微技术中心（CSEM），他发起并领导射频和模拟IC设计组。 2000年，他升任副总裁，主管集成无线系统部门（前身为微电子部）。他在2013年加入洛桑联邦理工学院，担任全职教授。他目前是微工程研究所（IMT）的所长和集成电路实验室（ICLAB）的主任。
 
他的研究领域包括：极低功耗模拟和射频IC设计、半导体器件建模、非*和容错电路与系统领域。他发表了200多篇论文，对许多学术会议和课程也有着突出贡献。他与E.Vittoz和F. Krummenacher同为EKV MOS晶体管模型的建立者，另外写有专著Charge-Based MOS Transistor Modeling - The EKV Model for Low-Power and RF IC Design (Wiley出版社，2006)。他是数个技术委员会的成员，包括*固态电路会议（ISSCC）和欧洲固态电路会议（ESSCIRC）。他曾担任副组长为2000年*低功耗电子和设计研讨会(ISLPED)的副主席、2000年*电路与系统研讨会（ISCAS）的主席、2006年欧洲固电路大会（ESSCIRC）的技术委员会主席。自2012年以来，他是IEEE固态电路学会（SSCS）AdCom委员会的主席。他还是瑞士科学院工程科学部门的成员。
 
 
Xicheng Jiang
江习承 博士
 

IEEE院士

 

中国科大客座教授

 

CICC的技术委员会成员
美国博通公司 技术总监
 
Xicheng Jiang在中国科学技术大学取得学士学位，随后在美国加州大学洛杉矶分校电子工程系学习并获得硕士和博士学位。1997年至今，他在美国博通公司（Broadcom）的模拟和射频微电子团队任职，现为博通的技术总监和“博通杰出工程师”。他的研究兴趣包括数据转换器、高速串行收发器、蜂窝基带、Hi-Fi音频驱动、麦克风接口和精密传感器接口。
 
Xicheng Jiang是IEEE Fellow。目前他正担任ISSCC、CICC的技术委员会成员。他拥有40多项授权和待批美国*，独著和合著有40多篇大会和期刊论文，并由剑桥大学出版社出版其著Digitally-Assisted Analog and Analog-Assisted Digital IC Design。他是CICC 2009年较佳论文奖以及CICC 2013较佳张贴论文奖的共同获得者。
 
 
Thierry·Taris

蒂埃里塔里斯

 

意法半导体-IMS联合实验室合作顾问

波尔多理工学院教授
 
Thierry Taris在波尔多大学电气工程系获得博士学位。从2003年到2005年，他在波尔多大学担任助理教授，致力于CMOS超宽带低噪声放大器和射频设计开发CMOS体效应的研究，并于2005年评为终身教授。他的研究主要集中在毫米波应用与无线传感器网络中的低功耗RF构建模块设计。2010年至2014年，他一直担任IC设计团队的带头人。2014年始，他在波尔多理工学院(Bordeaux INP)担任全职教授。2014年1- 8月，他受邀担任加拿大英属哥伦比亚大学的级别高研究员。2015年7月，他还受邀访问瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）。他是意法半导体- IMS联合实验室的顾问，并且是CEA Leti-IMS 战略组（GICS）的成员。
 
他曾在*期刊和大会上发表论文70余篇、做过10次特邀报告、获得3次较佳论文奖，并共同发明6项*。他是数个程序委员会的成员，包括*电路与系统研讨会（ISCAS）、BiCMOS技术和建模研讨会（BCTM）、超大规模集成TSA/DAT 研讨会。他是多次大会的专题讲座主席：NEWCAS(2011 & 2015), ESSCIRC(2012), ICECS(2014)。
 
国 家 IC 人 才 培 养 平 台
National IC Talents Training Platform

上一页

展讯通信走向自研芯片的真正目的

2015中国集成电路制造年度人物揭晓，*采访震撼人心！

下一页

上一页

展讯通信走向自研芯片的真正目的

下一页

2015中国集成电路制造年度人物揭晓，*采访震撼人心！