复芯微电子专题讲座

——器件的演进:新技术、新结构及新材料的应用平台  

讲座简介

    本讲座是一门先进器件简介的讲座，将着眼于先进器件发展演进、关键技术与原理的介绍。包涵了90纳米的形变沟渠(strained-channel)、45纳米的High-k/metal gate、 22纳米以下的 Multi-gate FET、未来锗与III-V渠道器件以及Tunnel FET等所需相关的关键技术与器件原理。 

邀请对象

    研发、设计、制程、产品、测试、品保资深工程师、以及相关生产与测试仪器设备代理商、仿真软件代理商。

时    间：2013年7月4日（周四）下午14：00-16：00

地    点：天津开发区第四大街80号天大科技园A1座2楼（滨海新区集成电路设计服务平台）

席 位 费：免费

主办单位：上海复芯微电子技术咨询有限公司

          天津泰达科技发展集团

讲    师：简昭欣 博士

师资介绍

Education：中国台湾交通大学电子工程博士

Experience: 复芯微电子专聘讲师

台积电先进制程首席培训讲师

中国台湾交大电子工程系教授

中国台湾国家纳米器件实验室研究员

中国台湾国家纳米器件实验室薄膜掺杂组组长

Specializations： 先进纳米器件栅极工程研究

                  硅锗器件

                  非挥发性快闪记忆体

                  薄膜掺杂制程技术

讲座大纲     

Ø Introduction

Ø Core technology of 65& 90nm nodes—strained channel

Ø Core technology of 45nm nodes—high-k/metal gate

Ø Device for 22 nm and beyond—multigate devices

Ø Emerging devices –Ge & III-V channel ; Tunnel FET

Ø Summary

申 请 表

注：

1. 请认真填写上述信息；
2. 关于培训费用将以上述参加培训人数为计算基数，且一旦确认将不得更改，因此所造成的经济损失本中心概不负责；
3. 请将申请表格加盖单位公章后，以传真或邮寄方式返回本中心，如以传真形式则在人员报到时出示原件；
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