由于终端市场需求趋缓，在供给提升速度大于需求成长速度下，TrendForce旗下拓墣产业研究所预估  2016年全球晶圆代工产值年成长仅2.1%，半导体大厂的竞争将更加激烈。2016年三大半导体制造大厂资本支出金额预期较2015年成长  5.4%，其中，英特尔调升30%达95亿美元、台积电调升17%达95亿美元，三星则逆势调降15%，来到115亿美元。拓墣表示，今年半导体大厂的资本支出预计至2017年才有机会对营收产生贡献。

台积电：专注制程开发、深耕InFO 技术、中国南京厂建置为2016 年三大重要

拓墣表示，半导体三巨头中台积电是单一的纯晶圆代工厂，与客户无直接竞争关系，可专注于制程技术的开发。2016 年台积电资本支出约70% 用于先进制程的开发，其中大部分用在10 奈米制程技术，可见台积电对10 奈米制程研发的重视。资本支出的10% 则持续投入InFO 技术的开发，InFO 技术有散热佳、厚度和面积缩小、成品稳定度高的优势，已有少数大客户开始投单，预期未来将有更多客户陆续投入。

为了就近服务广大的中国市场，台积电规划30 亿美元用于中国南京12 吋厂的建置，预期在2018 年投产。今年南京厂计划先投入5 亿美元，2017 与2018 年将增加投资力道。

三星：智慧型手机业务前景不明，2016 年半导体事业将是重要

智慧型手机是三星较重要的业务，在终端市场需求趋缓、手机差异化缩小的情况下，三星受到苹果与中国品牌的激烈竞争。根据三星财报显示，2015 年营收年衰退2.6%，净利下滑20.6%。相较智慧型手机，2015 年三星的半导体营收年成长20%、记忆体年成长17%，大规模集成电路（LSI）业务年成长约27.7%，表现十分亮眼。

拓墣指出，2016 年三星的智慧型手机业务拓展仍不乐观，除加速开发创新业务，将更加重视晶圆代工业务，采取积极抢单的策略。2016 年三星115 亿美元的资本支出中，大规模集成电路业务会维持与2015 年35 亿美元的相同水准。

英特尔：维持制程先进地位，扩展记忆体相关业务

英特尔虽然在14 / 16 奈米制程技术开发上先进，但台积电与三星若在10 奈米的技术上赶超，将使英特尔在CPU 产品上面临强大的竞争压力，严重挑战英特尔自1995 年来的先进地位。2016 年英特尔将持续扩大资本支出以维持制程先进，相关资本支出约达80 亿美元。

在资料中心的竞争中，2015 年英特尔与美光联合发表包含3D-NAND 与Xpoint 等用于记忆体的技术，此外更宣布投资25 亿美元把大连厂打造成记忆体制造厂。2016 年英特尔的资本支出中约有15 亿美元将投资在记忆体相关业务。