[据C4ISR网站2015年12月23日报道] 尽管存在硅的竞争，但无线通信的需求将继续推动砷化镓市场发展。

　　据美国市场研究和咨询公司——信息网络公司称，强大的无线通信需求使砷化镓集成电路市场2015年增长率超过25%。

　　每个手机都包含基于砷化镓异质结双极晶体管（HBT）技术的功率放大器（PA）。一个2G手机包含一个PA，而一个3G手机通常含有多达五个PA。苹果的4G智能手机6S包含六个PA：Avago的ACPM-7600和ACPM-8010，高通的QFE2320和QFE2340，和Skyworks的sky85303和sky85707。

　　该公司的“砷化镓集成电路市场”报告称，虽然GaAs PA逐渐被硅基CMOS产品替代，继续失去市场份额，但在可预见的未来，仍将在RF技术领域占主导地位。

　　PA的定价已经从每个2G手机0.30美元提高到每个3G手机1.25美元，全球长期演进（LTE）技术中的PA为3.25美元。（工业和信息化部电子科学技术情报研究所 张慧）

　电子行业投资专题研究-砷化镓/氮化镓半导体:导体领域不可忽视的新蓝海

　　研究逻辑:砷化镓/氮化镓半导体引爆市场热点

　　由于砷化镓和氮化镓半导体材料的特殊性,该器件将会是未来集成电路的重要发展方向,*正大力支持该行业的迅速发展,较近也引起了市场的广泛关注。砷化镓和氮化镓主要依附于MOCVD进行外延生产,技术含量高,国内LED芯片龙头三安光电早在两三年前就在布局该行业,近期发布定增预案,计划募集资金16亿元,总投入达30亿元人民币用于通讯微电子器件项目,生产砷化镓高速半导体器件与氮化镓高功率半导体器件。国内砷化镓/氮化镓半导体在军工及无线通讯等领域需求旺盛,而相关标的稀缺,因此我们看好该行业未来发展,同时也将持续关注该领域中相关投资机会。

　　砷化镓半导体:射频通讯核心,百亿美元大市场

　　砷化镓半导体具备高工作频率、电子迁移速率、抗天然辐射及耗电量小等特性在微波通讯领域大规模应用。一方面,随着智能手机进入4G时代,以至于后面的5G及物联网的崛起,多模多频的砷化镓微波功率器件需求量较3G时代将大幅提升。根据我们估算,2014年度全球手机砷化镓功率元件需求量接近120亿颗,国内手机市场砷化镓元件需求量超过35亿颗。4G及未来的5G通讯已成为砷化镓微波半导体重要的成长驱动力。另一方面,无线通讯的拉动下催生砷化镓半导体由原先的国外IDM群雄割据发展到现在的代工经营模式,经验丰富的砷化镓半导体晶圆制造出现。

　　氮化镓半导体:节能产业的未来

　　氮化镓半导体自2013年开始逐步从军工领域向民用市场拓展,美国、欧洲、及中国政府均出台相关政策大力推进氮化镓半导体产业,*半导体大厂关于氮化镓器件的收购和合作也不断发生,氮化镓半导体已经成了各家必争之地。未来随着氮化镓半导体在新能源、智能电网、4C产业及物联网的应用逐步拓展,全球氮化镓半导体市场潜在规模达94亿美元。

　　国内机会:三安光电拉开砷化镓/氮化镓半导体国产替代序幕

　　三安光电将投资砷化镓/氮化镓半导体制造,填补我国在制造环节的空白。一方面,三安将借军工订单正式切入砷化镓/氮化镓半导体领域,目前三安已经与成都亚光签订6600万元流片订单,鉴于国内军工用砷化镓/氮化镓器件需求巨大,只要公司产品量产,订单将能够保证。另一方面,国内锐迪科、国民技术、汉天下等设计公司,均将会是三安光电未来潜在客户,海外也将会是开发的重要领域。随着三安通讯电子器件项目投产,将实现年产能36万片(6寸片),规模更甚于目前全球砷化镓晶圆代工龙头台湾稳懋,借助*力量,三安光电从国防应用领域切入,将不仅是“LED芯片界的台积电”,还有望成长为“砷化镓/氮化镓芯片界的台积电”。

　　风险提示

　　行业发展速度低于预期;行业竞争加剧的风险。