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2017年20nm、16nm及以下的芯片先进工艺将成为主流

2017年20nm、16nm及以下的芯片先进工艺将成为主流

  • 分类:行业资讯
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  • 来源:
  • 发布时间:2013-12-18 17:34
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  12月12日,工业和信息化部软件与集成电路促进中心(简称CSIP)主任邱善勤发布报告预测:到2017年20nm、16nm及以下的先进工艺将成为主流,这对我们设计业、制造业是一个很大的启示:我们怎么样适应全球先进工艺。
  
  当天,由CSIP、南京市经信委等共同举办的2013年中国集成电路产业促进大会在南京隆重召开,邱善勤在致辞中作出上述预测。
  
  邱善勤说:过去几年,我们比较先进的工艺还是保持在60nm、45nm,但是从2013年开始,28nm、32nm成为主流的先进工艺,特别是28nm,将每年保持高增长的态势。邱善勤预测:32nm、20nm是过渡型工艺,不是主流,到2017年20nm、16nm及以下的先进工艺将成为主流。
  
  邱善勤预测:TSV(硅通孔封装)预计从2014年开始要有大的采用,TSV是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的新技术。这意味着一种新的工艺大量采用的情况下,芯片的集成度会越来越高,成本将逐渐下降。预计到2017年TSV将逐年加速增长,这一趋势的一个很大的启示:未来芯片将随着线宽越来越细,集成度越来越高。
  
  邱善勤预测:2013年上半年呈下降趋势,但到了下半年*增长,预示著明后年行业高速增长。2014年将趋于稳定,预计2012-2017年整个行业设备采购支出的年增长率将达到5%左右,与整个行业的增长率(预测亦为5%)是一致性的。
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