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上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)近日发布其低本效率高的0.13微米铝制程逻辑及混合信号工艺。
与0.18微米技术节点相比，0.13微米可以将芯片尺寸较多缩小50%并使其提供更快的速度。宏力半导体的0.13微米铝制程逻辑及混合信号工艺可以提供通用和低压制程两个选择。通用制程的核心逻辑电压是1.2伏，而低压制程则为1.5伏。该制程可以支持较多7层金属层，同时提供MIM,HRP和DNW等支持混合信号设计，并提供不同性能的器件，客户可以进行更优化的芯片设计。
与0.13微米铜制程相比，宏力半导体的0.13微米铝制程逻辑及混合信号工艺可以提供一个低本效率高的解决方案和*的性能。经过验证的设计规则以及SPICE~模型可以方便客户的现有产品从铜制程迁移至铝制程，或者从低端技术节点转到0.13微米，从而缩短客户产品的上市周期。与此同时，宏力半导体与设计服务公司合作提供经验丰富、完整并通过硅认证的单元库和IP模块以满足客户芯片设计的需求。除此以外，基于宏力半导体成熟的光缩技术，该制程还可缩小至0.115微米，从而为客户在每片晶圆上提供多于20%的裸片。
“宏力半导体一直执行着差异化技术的战略，因此我们研发了0.13微米的铝制程逻辑及混合信号工艺。当几年前晶圆代工厂刚刚开发0.13微米制程的时候，铜由于其更优良的电迁移以及更好的导电性能而成为优选。随着越来越多的产品设计，尤其是消费类电子产品的技术开始迁移到0.13微米的制程，业者普遍希望能够有更为低本效率高的解决方案。”宏力半导体销售市场服务单位经验丰富副总卫彼得博士表示，“宏力半导体已经拥有丰富的逻辑产品的量产经验，其良率和品质也是*的。这个新的平台将在更大程度上满足消费类电子产品的客户，比如：闪存控制器、数码相框、电脑摄像头、音频及视频解码器等。”
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