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中芯*今日宣布45纳米高性能工艺在首批完整流程芯片上获得良率验证。
45纳米工艺技术中的低功耗技术验证成功，使移动设备更具备低功耗的性能。中芯*已与IBM于2007年12月签订了45纳米bulkCMOS技术许可协议，该技术转移已于2009年3月成功完成。
“很高兴看到中芯*45纳米项目所取得的进展，从而能够在严格的期限内完成目标，对此我们要向IBM团队给予的强大支持表示由衷的感谢。”中芯*45纳米项目负责人，逻辑技术中心副总经理俎永熙博士表示，“集成了高性能工艺中特有的应变硅流程,并且在首批完整流程芯片上展示了出色的良率，这是我们一个重要的技术成果，使我们可以为客户提供先进技术的芯片代工服务。”
中芯*的45纳米工艺技术以通过认证的SPICE模式为支持，拥有内部IP设计能力，使客户能够尽快开始原型产品的设计并提早计划产品上市时间。今年6月，中芯*宣布采用新的SPICE模式软件来设计和验证45纳米IP模块、I/O电路以及标准单元参数特性化流程。
随着公司65纳米低功耗技术开发周期的顺利结束，并于较近发布了IP产品组合以及通过众多客户的产品认证从而进入生产，目前的重要已转为45纳米技术。中芯*45纳米的低功耗和高性能工艺技术应用于设计将使客户进入到高利润市场。
“45纳米高性能工艺在首批完整流程芯片上获得良率验证令我们十分振奋和鼓舞，这是中芯战略计划中的一个重要里程碑”，中芯*总裁兼优选执行官张汝京博士表示，“这不仅验证了IBM公司授权的技术，也证明了我们投资于逻辑技术的策略是十分正确的，同时也巩固了中芯*作为国内逻辑技术先进者的地位。45纳米工艺技术是已被认可的不断推广的高收益和高性能的技术，不仅可以为客户提供更好的性能、可靠性以及更具竞争力的成本，而且还将有助于提升中芯在中国以及全球的竞争力。”
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