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近日台积电宣布成功开发28nm技术工艺，配合双╱三闸极氧化层制程，将32nm制程所使用的氮氧化硅/多晶硅材料延伸至28nm工艺制程，使得半导体可以持续往先进制程技术推进。此一制程技术的优势还包括高密度与低六晶体管静态随机存取内存组件、低漏电晶体管、已通过验证的传统模拟╱射频╱电子熔线组件、低电阻-电容延迟的低介电质铜导线。
现在台积电已成功以28nm双╱三闸极氧化层系统单芯片技术生产出64MB，良率十分优异。此一SRAM的组件尺寸为0.127平方微米，相当具有竞争力，芯片闸密度高达每平方公厘390万个闸。在SRAMVcc_min、电子熔线及模拟领域的优异表现足以证明此制程技术的可制造性。
此一先进的制程技术再次展现台积电在低耗电、高性能制程采用氮氧化硅╱多晶硅材料，提供客户深具成本效益解决方案的说明及能力。藉由应变硅与具备竞争力的氧化层厚度优化的氮氧化硅材料所产出的晶体管，与前一世代的45nm制程技术相较，不但频率提高25-40%，操作功耗减少30-50%，还拥有低待机及低操作功耗的优势。
台积电研究暨发展副总经理孙元成博士表示，此一进展要归功于客户们和TSMC的密切合作。客户需要使用28nm技术来突破半导体应用的新范畴，而我们在创新之路上的不断精进，将有助于半导体产业的创新者所设计的起首进应用得到落实。
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